中国研发新型存储芯片,性能快了100万倍.. • 2018-12-30 阅读 226 次 相比三星、东芝、美光等公司,中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年,不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术,前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存,性能是普通存储.. 100万倍 中国 存储 性能 新型 研发 芯片